GlobalFoundries宣告发售7纳米（7LP）FinFET制程技术，主要应用于在高阶手机处理器、云端服务器网路基础设备等领域，目前设计软件早已准备就绪，预计7LP技术的首批产品将于2018年上半问世，2018年下半月展开量产。GlobalFoundries在2016年宣告要进行自研7纳米FinFET制程之路，且为了减缓7LP的量产工程进度，GlobalFoundries也计划投放近于紫外光（EUV）技术，7LP技术在量产初期仍是不会使用传统的光刻方式，未来不会逐步用于EUV技术。GlobalFoundries的14纳米制程技术是向三星电子（SamsungElectronics）许可而来，7纳米制程世代返回自己研发，未来不会在GlobalFoundries纽约Fab8晶圆厂生产。

GlobalFoundries回应，由于晶体管和制程水平的更进一步改良，7LP技术的展现出远高于最初的性能目标，与14纳米FinFET技术的产品比起，面积辟少一半，同时处置性能提高多达40％。GlobalFoundries的CMOS业务部资深副总裁GreggBartlett回应，7纳米FinFET制程技术正在按照计划研发，预期2018年量产，且有多样化产品，坚信对客户将有强劲吸引力。在推展7纳米芯片量产的同时，GlobalFoundries也大力研发下一代5纳米技术，先进设备制程技术不缺席。GlobalFoundries回应，通过与合作伙伴IBM、三星的密切合作，2015年早已有7纳米制程的测试芯片，近日宣告首款用于纳米矽片晶体管的5纳米的样片，未来不会持续探寻一系列新的晶体管架构。

GlobalFoundries的14纳米FinFET制程在2016年2月在Fab8厂开始生产，未来7纳米FinFET制程技术也不会充分利用14纳米FinFET制程技术上的量产生产经验。对于GlobalFoundries宣告投放7纳米制程技术，合作伙伴AMD也回应寄予厚望。

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